Número de Producto del Fabricante:
TSM250N02CX RFG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM250N02CX RFG-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 5.8A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Inventario:
70731 Pcs Nuevos Originales En Stock
12897212
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TSM250N02CX RFG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
535 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
TSM250
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
TSM250N02CX RFGDKR
TSM250N02CX RFGCT
TSM250N02CX RFGTR-DG
TSM250N02CX RFGDKR-DG
TSM250N02CX RFGCT-DG
TSM250N02CXRFGCT
TSM250N02CXRFGDKR
TSM250N02CX RFGTR
TSM250N02CXRFGTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BSS84TA
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
DMT6009LPS-13
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
TSM130NB06LCR
MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
